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标题:Photogalvanic effect in monolayer WSe2-MoS2 lateral heterojunction from first principles
时间:2020-10-29 18:30:02
DOI:10.1016/j.physe.2019.113714
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目录:
  • Photogalvanic effect in monolayer WSe2-MoS2 lateral heterojunction from first principles
    • 1 Introduction
    • 2 Model and methods
    • 3 Results and discussion
    • 4 Conclusions
    • Conflicts of interest
    • Acknowledgements
    • Appendix A Supplementary data
    • References

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